Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet Samsung K6R1016V1D — Даташит

ПроизводительSamsung
СерияK6R1016V1D

64Kx16-битное высокоскоростное статическое ОЗУ CMOS (рабочее напряжение 3,3 В)

Datasheets

Datasheet K6R1016V1D
PDF, 269 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 25 сен 2020, Страниц: 11
CMOS SRAM
Выписка из документа

Цены

15 предложений от 15 поставщиков
64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.
Контест
Россия
K6R1016V1D-UI10
255 ₽
Элитан
Россия
K6R1016V1D-TI10
Samsung
368 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
K6R1016V1D-TC15
Samsung
по запросу
K6R1016V1D-JC10
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Модельный ряд

На английском языке: Datasheet Samsung K6R1016V1D

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России