Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet Samsung K6R1004V1D-JC(I) 08/10 — Даташит

ПроизводительSamsung
СерияK6R1016V1D
МодельK6R1004V1D-JC(I) 08/10

64Kx16-битное высокоскоростное статическое ОЗУ CMOS (рабочее напряжение 3,3 В)

Datasheets

Datasheet K6R1016V1D
PDF, 269 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 25 сен 2020, Страниц: 11
CMOS SRAM
Выписка из документа

Цены

64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.
Кремний
Россия и страны СНГ
K6R1004V1D-JC8
по запросу
Acme Chip
Весь мир
K6R1004V1D-JC10
Samsung
по запросу
K6R1004V1D-JC08/10
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Модельный ряд

Варианты написания:

K6R1004V1DJC(I) 08/10, K6R1004V1D JC(I) 08/10

На английском языке: Datasheet Samsung K6R1004V1D-JC(I) 08/10

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России