OKW: приборные корпуса из Германии
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English
РадиоЛоцман - Все об электронике
Дискретные
Проф. элек-ка
ArduinoАвтоАвтозвукАвтоматикаАналог. схемыАудиоБезопасностьБеспроводныеБытоваяВетроэнер-каВидеоВидеокамерыВред.рецептыВысоковольт.ГенераторыИИИгрыИзмеренияИнстр. и тех.ИнтерфейсыКомпьютеры иЛазерМедицинаМониторыМузыкаНачинающимОбработка сигналов, фильтрыПерс.технологПечат.платыПитаниеПлатформыПрименение МКР/у моделиРадиоРадиолокацияРетроРобототехникаСАПР и ПОСветотехникаСетиСиловая эл-каСолнечная эн.Сотовая связьСпутник.обор.ТВТелефонТеорияУк.применениюУсилителиЦифровые
Эл. компон-ты
АЦП, ЦАПБеспроводныеДатчикиДискретныеДрайверыИнтерфейсыКонденсаторыЛогикаМКМЭМСОптоэлектроникаПамятьПассивные комп-тыПитаниеПреоб. данныхПрогр. логикаПроцессорыРЧ компонентыРезисторыРелеСоед., разъемыСотовая связьТехнологииУсилители
Потреб. тех-ка
АудиотехникаВидеотехникаКлимат. тех-каКомпьютеры ..Кухонная тех-каОргтехникаСвязьТехн. будущегоТовары для домаФототехника
Производители
НовостиДискретные компоненты

Новости - Дискретные компоненты - 5

Подраздел: "Дискретные компоненты"
Найдено: 464 Вывод: 41-50
  1. Высокая надежность SiC! Как они этого добились ?
    Дискретные компоненты
    За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC практически ...
    25-11-2020
  2. EPC выпускает 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор с лучшими характеристиками в своем классе приборов
    Дискретные компоненты Силовая электроника EPC EPC2059
    EPC предлагает разработчикам 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор EPC2059 с сопротивлением открытого канала 6.8 мОм более миниатюрный, эффективный, надежный и дешевый, чем устройства, доступные в настоящее время Новый 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор ...
    EPC Launches 170 V eGaN FET Offering Best-in-Class Synchronous Rectification Performance and Cost to Seize High End Server and Consumer Power Supply Applications
    EPC introduces 170 V, 6.8 milliohm EPC2059 eGaN® FET, offering designers a device that is smaller, more efficient, more reliable, and lower cost than currently available devices for high performance 48 V synchronous rectification. Efficient ...
    22-11-2020
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023
  1. Alpha and Omega Semiconductor выпускает быстродействующий 600-вольтовый MOSFET в SMD корпусе TOLL
    Дискретные компоненты Alpha & Omega AOTL125A60
    Оптимизированы для мощных источников питания серверов и солнечных инверторов с высокой плотностью монтажа Alpha and Omega Semiconductor (AOS) анонсировала выпуск быстродействующего 600-вольтового MOSFET с суперпереходом в корпусе TOLL для ...
    Alpha and Omega Semiconductor Releases Fast Switching 600V αMOS5 Super Junction MOSFETs in SMD-type TOLL Package
    Optimized for High-Density, High-Power Server Power Supplies, and PV Inverters Alpha and Omega Semiconductor (AOS) announced the release of a Fast Switching 600 V αMOS5™ Super Junction MOSFETs in SMD-type TOLL Package. αMOS5 is ...
    19-11-2020
  2. Карбид-кремниевые MOSFET 900 В - современные решения для инверторов электромобилей!
    Дискретные компоненты Силовая электроника Wolfspeed
    Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать на базе того же карбида кремния решения для ...
    18-11-2020
  1. Vishay запускает в производство первый в отрасли 60-вольтовый MOSFET для автомобильных приложений в сдвоенном асимметричном корпусе PowerPAK SO-8L
    Дискретные компоненты Авто Vishay SQJ264EP
    Компактное устройство размером 5 мм × 6 мм сократит занимаемую площадь и повысит КПД импульсных источников питания в автомобильных приложениях Vishay Intertechnology представила n-канальный 60-вольтовый MOSFET, который является первым в ...
    Vishay Intertechnology Launches Industry's First AEC-Q101 Qualified 60 V MOSFET in the PowerPAK SO-8L Dual Asymmetric Package
    Compact 5 mm by 6 mm Device Saves Space and Increases Efficiency in Switch‑Mode Power Supplies for Automotive Applications Vishay Intertechnology introduced an AEC-Q101 qualified n-channel 60 V MOSFET that is the industry’s first such device ...
    11-11-2020
  2. Infineon добавляет 40-вольтовый прибор к семейству MOSFET в корпусах SD PQFN
    Дискретные компоненты Силовая электроника Infineon IQE013N04LM6 IQE013N04LM6CG
    Для достижения наилучших характеристик на системном уровне от конструкций современных систем питания требуются высокие значения удельной мощности и малые размеры. Infineon Technologies решает эту проблему, уделяя повышенное внимание системным ...
    Infineon adds 40 V device in PQFN to its OptiMOS Source-Down power MOSFET family
    Contemporary power system designs demand high power density levels and small form factors to maximize system-level performance. Infineon Technologies tackles this challenge by focusing on system innovation with enhancements on the component level. ...
    02-11-2020
  3. Vishay выпускает сильноточные дроссели с улучшенными характеристиками насыщения и температурной стабильности
    Дискретные компоненты Питание Vishay IHVR-4024KE-51
    Устройство с вертикальной установкой в компактном корпусе типоразмера 4024 имеет вдвое меньшее сопротивление постоянному току, чем обычные силовые дроссели, и при этом экономит место на печатной плате Vishay Intertechnology представила новый ...
    Vishay Intertechnology High Current Inductor Delivers Improved Saturation and Temperature Stability
    Vertical-Mount IHVR-4024KE-51 Device in Compact 4024 Case Size Offers 50 % Lower DCR Than Typical Power Inductors While Saving Board Space Vishay Intertechnology introduced a new high current inductor that provides 50% lower DCR than typical power ...
    28-10-2020
  4. Toshiba выпускает новый карбидокремниевый MOSFET с допустимым напряжением стока 1200 В
    Дискретные компоненты Высоковольтные Силовая электроника Toshiba TW070J120B
    Устройство позволяет значительно сократить потери, повысив, тем самым, КПД преобразователей энергии Toshiba Electronics Europe выпустила 1200-вольтовый карбидокремниевый (SiC) MOSFET для мощных промышленных приложений, включая AC/DC источники ...
    Toshiba Launches 1200 V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
    Device offers significantly reduced losses thereby increasing power solution efficiency Toshiba Electronics Europe has launched a 1200 V silicon carbide (SiC) MOSFET for high power industrial applications including 400 V AC input AC-DC power ...
    27-10-2020
  5. Ampleon выпустила мощный радиочастотный транзистор для телевизионных передатчиков следующего поколения
    Радиочастотные компоненты Дискретные компоненты Ampleon BLF989E
    Компания Ampleon выпустила мощный радиочастотный транзистор BLF989E , изготавливаемый на основе новейшего высоковольтного (50 В) технологического процесса LDMOS девятого поколения. BLF989E был разработан для использования в высокоэффективных ...
    New RF power transistors and ultra-wideband Doherty amplifiers for use in next-generation TV broadcast transmitters
    Ampleon has released the BLF989E RF power transistor, which uses the very latest ninth-generation high-voltage (50 V) LDMOS process technology. The BLF989E has been designed to deliver the highly efficient Doherty amplifiers required by the next ...
    26-10-2020
  6. Vishay предлагает новый интегральный полумостовой силовой MOSFET каскад с лучшим в отрасли фактором качества
    Дискретные компоненты Vishay SiZ240DT
    Устройство в компактном корпусе PowerPAIR размером 3.3 мм × 3.3 мм с сопротивлением открытого канала всего 8.05 мОм и зарядом затвора 6.5 нКл Vishay Intertechnology представила новый 40-вольтовый полумостовой силовой каскад на n-канальных ...
    Vishay Intertechnology Integrated 40 V MOSFET Half-Bridge Power Stage Offers Best in Class RDS(ON) and FOM to Increase Power Density and Efficiency
    Space-Saving Device Features Maximum R DS(ON) Down to 8.05 mΩ and Qg of 6.5 nC in Compact PowerPAIR® 3×3S Package Vishay Intertechnology introduced a new 40 V n-channel MOSFET half bridge power stage that delivers increased power ...
    19-10-2020
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Секреты депассивации литиевых батареек FANSO EVE Energy
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество
Срезы
Термогигрометры Ivit - замена психрометров