OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet Nexperia SI2302DS,215 — Даташит

ПроизводительNexperia
СерияSI2302DS
МодельSI2302DS,215
Datasheet Nexperia SI2302DS,215

N-канальный полевой транзистор логического уровня TrenchMOS

Datasheets

Datasheet SI2302DS
PDF, 366 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 6 май 2024, Страниц: 13
N-channel TrenchMOS logic level FET
Выписка из документа

Цены

17 предложений от 11 поставщиков
МОП-транзистор N-CH TRENCH 20V 2.5A
Utmel
Весь мир
SI2302DS,215
NXP
от 2.62 ₽
Akcel
Весь мир
SI2302DS,215
NXP
от 2.65 ₽
ЧипСити
Россия
SI2302DS,215
NXP
103 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SI2302DS215
NXP
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Режим улучшения N-канала логического уровня.

Полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и сертифицирован для использования только в компьютерных, коммуникационных, бытовых и промышленных приложениях.

Этот продукт был удален.

Модельный ряд

Серия: SI2302DS (2)

Классификация производителя

  • MOSFETs > Small signal MOSFETs

Варианты написания:

SI2302DS215, SI2302DS 215

На английском языке: Datasheet Nexperia SI2302DS,215

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России