На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet IXYS IXTH44P15T — Даташит

ПроизводительIXYS
СерияIXTH44P15T
МодельIXTH44P15T

Мощные МОП-транзисторы TrenchP

Datasheets

Datasheet IXTA44P15T, IXTP44P15T, IXTQ44P15T, IXTH44P15T
PDF, 250 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2022, Страниц: 8
TrenchP Power MOSFETs
Выписка из документа

Цены

24 предложений от 12 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; TrenchPTM; полевой; -150В; -44А; 298Вт; 140нс
T-electron
Россия и страны СНГ
IXTH44P15T
IXYS
375 ₽
ЧипСити
Россия
IXTH44P15T
IXYS
673 ₽
ChipWorker
Весь мир
IXTH44P15T
IXYS
716 ₽
TradeElectronics
Россия
IXTH44P15T
IXYS
по запросу
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Полевые МОП-транзисторы Trench с P-каналом хорошо подходят для приложений переключения «высокой стороны», где можно использовать простую схему возбуждения, связанную с землей, избегая дополнительных схем драйвера «высокой стороны», обычно используемых при использовании N-канальных МОП-транзисторов.

Это позволяет разработчикам сократить количество компонентов, тем самым упрощая схему управления и общую структуру стоимости компонентов.

Кроме того, он позволяет разработать дополнительный силовой выходной каскад с соответствующим N-канальным полевым МОП-транзистором для силового полумостового каскада в паре с простой схемой возбуждения.

Другие варианты исполнения

IXTA44P15T IXTP44P15T IXTQ44P15T

Классификация производителя

  • Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > P-Channel > Trench Gate

На английском языке: Datasheet IXYS IXTH44P15T

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России