Datasheet MMBF4393LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, JFET, N, 30 В, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: MMBF4393LT1G
Купить MMBF4393LT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 3.01 до 108 ₽ 32 предложений от 16 поставщиков Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВ | |||
MMBF4393LT1G ON Semiconductor | 3.01 ₽ | ||
MMBF4393LT1G ON Semiconductor | 6.43 ₽ | ||
MMBF4393LT1G ON Semiconductor | от 12 ₽ | ||
MMBF4393LT1G ON Semiconductor | 19 ₽ |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Транзистор, JFET, N, 30 В, SOT-23
Краткое содержание документа:
MMBF4391LT1G, SMMBF4391LT1G, MMBF4392LT1G, MMBF4393LT1G JFET Switching Transistors
N-Channel
Features http://onsemi.com
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Site and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant*
Спецификации:
- Тип транзистора: JFET
- Breakdown Voltage Vbr: 30 В
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 5 мА ...
30 мА
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 225 мВт
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Capacitance Ciss Max: 14 пФ
- Current Idss Max: 150 мА
- Current Idss Min: 50 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance Max: 100 Ом
- Тип корпуса: SOT-23
- SMD Marking: 6 г
- Способ монтажа: SMD
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vgs Off Min: -0.5 В
RoHS: есть